姓名：钟汇才	学历：博士
	性别：男	专业：微电子学
	毕业院校：美国北卡罗纳州立大学电子和计算机科学工程系

钟汇才博士具有十多年的美国留学与工作经历，具备扎实的半导体器件物理和工艺研究基础，从1999年起就开始进行集成电路器件和工艺开发研究，主要工作集中在进行65、45、32纳米和22纳米各前沿技术代的半导体器件工艺以及新材料和新器件结构方面的研究和开发，总共发表或已申请30多项美国专利，并在许多世界级高水平的杂志刊物包括IEEE电子器件快报、 国际电子器件会议、应用物理快报等杂志或国际会议上发表20多篇专业论文，成果被引用累计已经在两百次以上；参加国际学术会议包括国际电子器件会议并演讲20余次，是国际权威期刊包括IEEE电子器件快报、应用物理快报等杂志的审稿人。

在AMD、IBM、SanDisk等世界顶级水平的半导体公司工作过程中，充分地发挥了个人在技术革新方面的突出创造能力并取得了大量的突破性成果，发明了多项半导体工业界具有重大意义的技术专利并得到半导体工艺界的广泛认可。在研究利用高K介质和金属栅极材料期间，开拓性地提出了利用导电金属氧化物作为栅极材料这样的前沿课题，并在世界上第一次采用金属导电氧化物来代替多晶硅栅极材料。在世界上我首次运用的合金材料作为金属场效应管栅电极的专利技术目前已在Intel的32纳米产品中得到应用。同时，我第一次详细地研究了金属合金用于金属栅极方面的应用，并首次提出了“利用合金材料成分来调整功函数新理论”，已获得半导体学术界广泛认可。在半导体工艺集成方面，我在世界上首次提出了运用金属牺牲层来吸收高K介质中的多余氧成分，从而大大地减少等效氧化硅厚度（EOT）增加，真正达到高K介质栅氧层的作用。这项技术已成为目前研究热点，并将可能在22纳米及更小尺寸技术代半导体工艺得到推广。另外，利用方形侧墙来替代传统的D形侧墙的专利技术已陆续被半导体工艺界采用，并被认为是32纳米以下制造工艺中的一项必不可少的工艺。

	姓名：王玉松	学历：硕士
	性别：男	专业：电子与通信工程
	毕业院校：清华大学

在罗克佳华工业有限公司，担任高级嵌入式工程师。公司主要从事多领域物联网的研发与生产销售，本人主要从事通信层的无线通信产品的开发，负责wifi基础平台、wifi网关、AP类产品的开发.在北京智博联科技有限公司，担任高级研发工程师。公司主要从事道路、桥梁方面的超声检测设备的研发与生产销售，本人主要从事系统硬件平台和软件的研发，开发了P810基桩检测仪.在北京佳迅飞鸿电气有限公司，担任研发工程师。公司主要从事铁路通信的研发与生产销售，如调度交换机、视频监控、IPV6等，本人主要从事软、硬件的研发．开发了FH-98调度系统的调度台、DSP回声消除器等.

精通Linux、Wince、Vxworks、UCOS-II等嵌入式操作系统的底层及应用软件开发，特别对linux的内核如驱动设备程序、文件系统、内存管理、进程等精通，具有丰富的开发经验;
精通C/C++、VC、VB、汇编、shell等语言及QT、EVC、ADS、gcc、gdb等开发工具;
精通单片机系统（ARM、51系列、AVR系列）、CPLD/PFGA设计，具有丰富的开发经验;
熟悉DSP（TI多系列）算法与实现技术的软、硬件开发与优化，具有丰富的产品开发经验;
熟悉802.11、TCP/IP、UDP、RTP等协议，熟悉网络编程;
熟悉USB、I2C、SPI、LCD、触摸屏等接口开发;
熟悉H.264、MPEG系列等视频编解码技术;